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首页 全部分类 CSD16570Q5BT vs IRFH4255DTRPBF

CSD16570Q5BT备选型号: IRFH4255DTRPBF

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  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
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  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • ECCN 代码
  • 最大功率耗散
  • 功率 - 最大
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 辐射硬化
  • Texas Instruments
    CSD16570Q5BT
    Texas Instruments
    TEXAS INSTRUMENTS CSD16570Q5BTMOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 25 V, 0.00049 ohm, 10 V, 1.5 V
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    6 Weeks
    Gold
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    24.012046mg
    SILICON
    100A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    Matte Tin (Sn)
    雪崩 额定
    DUAL
    无铅
    260
    not_compliant
    未说明
    CSD16570
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    5 ns
    N-Channel
    0.59m Ω @ 50A, 10V
    1.9V @ 250μA
    14000pF @ 12V
    250nC @ 10V
    43ns
    ±20V
    72 ns
    100A
    1.5V
    20V
    59A
    25V
    400A
    5mm
    6mm
    950μm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH4255DTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 25V 64A/105A PQFN
    -
    -
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    -
    -
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    IRFH4255
    -
    Dual
    -
    -
    -
    2 N-Channel (Dual)
    3.2m Ω @ 30A, 10V
    2.1V @ 35μA
    1314pF @ 13V
    15nC @ 4.5V
    -
    -
    -
    30A
    1.6V
    20V
    -
    -
    -
    6mm
    5mm
    -
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    2013
    EAR99
    38W
    31W 38W
    25V
    逻辑电平门
    900μm
    无
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