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首页 全部分类 CSD17310Q5A vs BSC050N03LSGATMA1

CSD17310Q5A备选型号: BSC050N03LSGATMA1

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  • 基本部件号
  • 引脚数量
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  • 操作模式
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
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  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 已出版
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 无卤素
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 最大双电源电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • Texas Instruments
    CSD17310Q5A
    Texas Instruments
    MOSFET N-CH 30V 100A 8SON
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    16 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    21A Ta 100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    雪崩 额定
    DUAL
    260
    CSD17310
    8
    Single
    增强型MOSFET
    3.1W
    DRAIN
    6.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    5.1m Ω @ 20A, 8V
    1.8V @ 250μA
    1560pF @ 15V
    11.6nC @ 4.5V
    11.5ns
    +10V, -8V
    5 ns
    100A
    1.3V
    10V
    30V
    1.3 V
    77 pF
    4.9mm
    6mm
    1mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSC050N03LSGATMA1
    Infineon Technologies
    Single N-Channel 30 V 7.5 mOhm 17 nC OptiMOS? Power Mosfet - TDSON-8
    -
    39 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    -
    18A Ta 80A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    50W
    -
    -
    N-Channel
    -
    5mOhm @ 30A, 10V
    2.2V @ 250μA
    2800pF @ 15V
    35nC @ 10V
    4ns
    ±20V
    -
    80A
    2.2V
    20V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    -
    ROHS3 Compliant
    含铅
    PG-TDSON-8-5
    2000
    150°C
    -55°C
    无卤素
    30V
    30V
    2.8nF
    4.2mOhm
    5 mΩ
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