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首页 全部分类 CSD17313Q2T vs IRF7313TRPBF

CSD17313Q2T备选型号: IRF7313TRPBF

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  • 底架
  • 安装类型
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  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
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  • JESD-609代码
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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 已出版
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 额定电流
  • 行间距
  • 通道数量
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 场效应管技术
  • 恢复时间
  • 最大结点温度（Tj）
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 高度
  • 辐射硬化
  • Texas Instruments
    CSD17313Q2T
    Texas Instruments
    MOSFET N-CH 30V 5A
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-WDFN Exposed Pad
    6
    SILICON
    5A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    DUAL
    无铅
    CSD17313
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    30m Ω @ 4A, 8V
    1.8V @ 250μA
    340pF @ 15V
    2.7nC @ 4.5V
    30V
    +10V, -8V
    5A
    1.3V
    5A
    0.042Ohm
    57A
    30V
    18 mJ
    17 pF
    2mm
    2mm
    750μm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7313TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    -
    -
    鸥翼
    IRF7313PBF
    Dual
    增强型MOSFET
    -
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    29m Ω @ 5.8A, 10V
    1V @ 250μA
    650pF @ 25V
    33nC @ 10V
    -
    -
    6.5A
    1V
    -
    -
    30A
    -
    -
    -
    4.9784mm
    4.05mm
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    2002
    EAR99
    29mOhm
    HIGH RELIABILITY, AVALANCHE RATED
    30V
    2W
    6.5A
    6.3 mm
    2
    2W
    8.1 ns
    8.9ns
    17 ns
    20V
    30V
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    68 ns
    150°C
    Standard
    1 V
    1.75mm
    无
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