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CSD17327Q5A备选型号: STB70NF3LLT4
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- RoHS状态
- 无铅
- 终端
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- JESD-30代码
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 阈值电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 双电源电压
- 栅源电压
- 高度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
MOSFET 30V,NCh Nex FET Pwr MOSFETACTIVE (Last Updated: 1 day ago)表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8SILICON65A Tc-55°C~150°C TJCut Tape (CT)NexFET™e3yesDiscontinued1 (Unlimited)5EAR99Matte Tin (Sn)雪崩 额定DUAL无铅260not_compliant未说明CSD173278Single增强型MOSFET3WDRAINN-ChannelSWITCHING12.2m Ω @ 11A, 8V2V @ 250μA506pF @ 15V3.4nC @ 4.5V±10V65A10V30V45 mJ33 pF4.9mm6mm1mmROHS3 Compliant含铅---------------
MOSFET N-Ch 30 Volt 70 AmpNRND (Last Updated: 7 months ago)表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON70A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)STripFET™ IIe3-不用于新设计1 (Unlimited)2EAR99Matte Tin (Sn)--鸥翼245-30STB70N3Single增强型MOSFET100WDRAINN-ChannelSWITCHING9.5m Ω @ 35A, 10V1V @ 250μA1650pF @ 25V33nC @ 4.5V±16V35A16V30V500 mJ-10.75mm10.4mm-ROHS3 Compliant无铅SMD/SMT30V70AR-PSSO-G223 ns165ns28 ns1V0.0095Ohm280A30V1 V4.6mm无SVHC无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | NTB4302G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 74A D2PAK | 对比 |
| NTB4302T4 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 74A D2PAK | 对比 |
| STB70NF3LLT4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-Ch 30 Volt 70 Amp | 对比 |
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