Texas Instruments CSD17327Q5A

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

65A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 8V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3W Ta

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2V @ 250μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

系列

NexFET™

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

CSD17327

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

3W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

12.2m Ω @ 11A, 8V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

506pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

3.4nC @ 4.5V

Vgs（最大值）

±10V

连续放电电流(ID)

65A

栅极至源极电压(Vgs)

10V

漏源击穿电压

30V

雪崩能量等级（Eas）

45 mJ

反馈上限-最大值 (Crss)

33 pF

长度

4.9mm

宽度

6mm

器件厚度

1mm

达到SVHC

not_compliant

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅