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首页 全部分类 CSD17484F4T vs IRLMS1503TRPBF

CSD17484F4T备选型号: IRLMS1503TRPBF

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  • 操作温度
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  • 端子位置
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  • 引脚数量
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  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 终端
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 功率耗散
  • Vgs（最大值）
  • 反向恢复时间
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 达到SVHC
  • Texas Instruments
    CSD17484F4T
    Texas Instruments
    MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    3-XFDFN
    3
    SILICON
    3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    FemtoFET™
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    BOTTOM
    无铅
    CSD17484
    3
    Single
    增强型MOSFET
    3 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    121m Ω @ 500mA, 8V
    1.1V @ 250μA
    195pF @ 15V
    0.2nC @ 8V
    1ns
    30V
    4 ns
    3A
    12V
    3A
    0.27Ohm
    2.9 pF
    1.035mm
    635μm
    200μm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLMS1503TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 3.2A 6-TSOP
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6
    6
    SILICON
    3.2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    4.6 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    100m Ω @ 2.2A, 10V
    1V @ 250μA
    210pF @ 25V
    9.6nC @ 10V
    4.4ns
    -
    2 ns
    3.2A
    20V
    -
    -
    -
    2.9972mm
    1.75mm
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    2004
    e3
    SMD/SMT
    EAR99
    100mOhm
    超低电阻
    30V
    未说明
    3.2A
    未说明
    1.7W
    ±20V
    36 ns
    1V
    30V
    1 V
    1.143mm
    无SVHC
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