CSD17501Q5A备选型号: IRFH8318TRPBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 已出版
- 终端形式
- JESD-30代码
- 配置
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 栅源电压
- 达到SVHC
- MOSFET N-CH 30V 100A 8SONACTIVE (Last Updated: 1 day ago)16 WeeksTin表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8SILICON100A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)NexFET™e3yes活跃1 (Unlimited)5EAR99雪崩 额定DUAL260CSD175018Single增强型MOSFET3.2WDRAIN10.4 nsN-ChannelSWITCHING2.9m Ω @ 25A, 10V1.8V @ 250μA2630pF @ 15V17nC @ 4.5V17ns±20V7.9 ns100A20V0.0037Ohm30V405 mJ4.9mm6mm1mm无ROHS3 Compliant含铅--------
- MOSFET N-CH 30V 50A 5X6 PQFN-12 Weeks-表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8SILICON27A Ta 120A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®--活跃1 (Unlimited)5EAR99HIGH RELIABILITYDUAL----增强型MOSFET3.6WDRAIN15 nsN-ChannelSWITCHING3.1m Ω @ 20A, 10V2.35V @ 50μA3180pF @ 10V41nC @ 10V33ns±20V12 ns27A20V-30V----无ROHS3 Compliant-2012FLATR-PDSO-F5SINGLE WITH BUILT-IN DIODE50A400A1.8 V无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NTMFS4898NFT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN, 5 Leads | MOSFET NFET SO8FL 30V 120A 3MOHM | 对比 | |
![]() | IRFH7932TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 30V 24A PQFN56 | 对比 |
![]() | IRFH8318TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 50A 5X6 PQFN | 对比 |





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