CSD17501Q5A备选型号: NTMFS4898NFT1G
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 已出版
- 电阻
- 端子表面处理
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 高度
- MOSFET N-CH 30V 100A 8SONACTIVE (Last Updated: 1 day ago)16 WeeksTin表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8SILICON100A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)NexFET™e3yes活跃1 (Unlimited)5EAR99雪崩 额定DUAL260CSD175018Single增强型MOSFET3.2WDRAIN10.4 nsN-ChannelSWITCHING2.9m Ω @ 25A, 10V1.8V @ 250μA2630pF @ 15V17nC @ 4.5V17ns±20V7.9 ns100A20V0.0037Ohm30V405 mJ4.9mm6mm1mm无ROHS3 Compliant含铅---------
- MOSFET NFET SO8FL 30V 120A 3MOHMLAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)--表面贴装表面贴装8-PowerTDFN, 5 Leads5-13.2A Ta 117A Tc-Cut Tape (CT)-e3yesObsolete1 (Unlimited)5EAR99-DUAL--5Single增强型MOSFET73.5WDRAIN17.6 nsN-ChannelSWITCHING3m Ω @ 30A, 10V2.5V @ 1mA3233pF @ 12V49.5nC @ 10V23ns-8.3 ns13.2A20V-30V228 mJ5.1mm6.1mm-无符合RoHS标准无铅20103MOhmTin (Sn)150°C-55°C930mWFLAT234A1.1mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NTMFS4898NFT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN, 5 Leads | MOSFET NFET SO8FL 30V 120A 3MOHM | 对比 | |
![]() | IRFH7932TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 30V 24A PQFN56 | 对比 |
![]() | IRFH8318TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 50A 5X6 PQFN | 对比 |





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