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CSD17522Q5A备选型号: BSC886N03LSGATMA1
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- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- RoHS状态
- 无铅
- 已出版
- JESD-30代码
- 漏源电压 (Vdss)
- 阈值电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 达到SVHC
MOSFET 30V,NCh Nex FET Pwr MOSFETACTIVE (Last Updated: 1 day ago)8 WeeksTin表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8SILICON87A Tc-55°C~150°C TJCut Tape (CT)NexFET™e3yes活跃1 (Unlimited)5EAR99雪崩 额定DUAL无铅260not_compliant未说明CSD175228不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET3WDRAIN6.7 nsN-ChannelSWITCHING8.1m Ω @ 14A, 10V2V @ 250μA695pF @ 15V4.3nC @ 4.5V12ns±20V3.7 ns87A20V30V54 mJ44 pF4.9mm6mm1mmROHS3 Compliant含铅--------
MOSFET N-CH 30V 65A TDSON-8-26 Weeks-表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8SILICON13A Ta 65A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™--活跃1 (Unlimited)5EAR99LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATEDDUAL无铅未说明-未说明---SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET2.5WDRAIN4.2 nsN-ChannelSWITCHING6m Ω @ 30A, 10V2.2V @ 250μA2100pF @ 15V26nC @ 10V3.2ns±20V3 ns65A20V-20 mJ----ROHS3 Compliant-2011R-PDSO-N530V2.2V0.0092Ohm260A30V无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDB8896 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 93A TO-263AB | 对比 |
| BSC886N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 65A TDSON-8 | 对比 |
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