您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 CSD17556Q5B vs IRFH8307TRPBF

CSD17556Q5B备选型号: IRFH8307TRPBF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 通道数量
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • Texas Instruments
    CSD17556Q5B
    Texas Instruments
    MOSFET N-CH 30V 8-VSON
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    6 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    34A Ta 100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    雪崩 额定
    DUAL
    无铅
    260
    not_compliant
    未说明
    CSD17556
    Single
    增强型MOSFET
    3.1W
    DRAIN
    14 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.4m Ω @ 40A, 10V
    1.65V @ 250μA
    7020pF @ 15V
    39nC @ 4.5V
    26ns
    30V
    ±20V
    12 ns
    100A
    1.4V
    20V
    34A
    30V
    500 mJ
    1.05mm
    5mm
    6mm
    950μm
    Unknown
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH8307TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 100A PQFN
    -
    12 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    42A Ta 100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®, StrongIRFET™
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    -
    DUAL
    无铅
    未说明
    -
    未说明
    -
    -
    增强型MOSFET
    3.6W
    DRAIN
    26 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.3m Ω @ 50A, 10V
    2.35V @ 150μA
    7200pF @ 15V
    120nC @ 10V
    30ns
    -
    ±20V
    13 ns
    100A
    1.8V
    20V
    42A
    -
    420 mJ
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2013
    R-PDSO-N5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    30V
    400A
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IRFH7932TR2PBF IRFH7932TR2PBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerVDFN MOSFET N-CH 30V 24A PQFN56 对比
IRFH8307TRPBF IRFH8307TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 30V 100A PQFN 对比
IRFH5300TRPBF IRFH5300TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerVDFN MOSFET N-CH 30V 40A PQFN 对比