您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 CSD17570Q5B vs FDD8874

CSD17570Q5B备选型号: FDD8874

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 额定电流
  • JESD-30代码
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 极性/通道类型
  • JEDEC-95代码
  • 输入电容
  • 场效应管技术
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 辐射硬化
  • Texas Instruments
    CSD17570Q5B
    Texas Instruments
    MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    8 Weeks
    Gold
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    100A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    雪崩 额定
    DUAL
    无铅
    260
    not_compliant
    未说明
    CSD17570
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    5 ns
    N-Channel
    0.69m Ω @ 50A, 10V
    1.9V @ 250μA
    13600pF @ 15V
    121nC @ 4.5V
    36ns
    ±20V
    44 ns
    100A
    20V
    53A
    0.00092Ohm
    30V
    360A
    450 mJ
    5mm
    6mm
    950μm
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDD8874
    ON Semiconductor
    MOSFET 30V N-Channel PowerTrench
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    10 Weeks
    Tin
    表面贴装
    -
    TO-252-3
    3
    -
    1
    -
    Tape & Reel (TR)
    -
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    -
    -
    鸥翼
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    9 ns
    -
    -
    -
    -
    -
    96ns
    -
    37 ns
    116A
    20V
    -
    -
    30V
    -
    240 mJ
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    260.37mg
    175°C
    -55°C
    30V
    110W
    116A
    R-PSSO-G2
    110W
    SWITCHING
    30V
    N-CHANNEL
    TO-252AA
    2.99nF
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    5.1mOhm
    5.1 mΩ
    无
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IRFH7932TRPBF IRFH7932TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerVDFN MOSFET N-CH 30V 24A PQFN56 对比
IRFH8318TRPBF IRFH8318TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 30V 50A 5X6 PQFN 对比
FDD8874 FDD8874 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3 MOSFET 30V N-Channel PowerTrench 对比