ON Semiconductor FDD8874

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

10 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3

引脚数

3

质量

260.37mg

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

47 ns

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

30V

最大功率耗散

110W

终端形式

鸥翼

额定电流

116A

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

110W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

9 ns

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

96ns

漏源电压 (Vdss)

30V

极性/通道类型

N-CHANNEL

下降时间（典型值）

37 ns

连续放电电流(ID)

116A

JEDEC-95代码

TO-252AA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

30V

输入电容

2.99nF

雪崩能量等级（Eas）

240 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

漏源电阻

5.1mOhm

最大rds

5.1 mΩ

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅