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首页 全部分类 CSD17576Q5BT vs IRFH7932TR2PBF

CSD17576Q5BT备选型号: IRFH7932TR2PBF

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  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
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  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 高度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Texas Instruments
    CSD17576Q5BT
    Texas Instruments
    Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
    6 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    8-PowerTDFN
    表面贴装
    表面贴装
    Gold
    8
    SILICON
    23 ns
    NexFET™
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    雪崩 额定
    DUAL
    无铅
    260
    not_compliant
    未说明
    CSD17576
    Single
    增强型MOSFET
    3.1W
    DRAIN
    5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2m Ω @ 25A, 10V
    1.8V @ 250μA
    4430pF @ 15V
    32nC @ 4.5V
    16ns
    30V
    ±20V
    3 ns
    100A
    20V
    30A
    0.0029Ohm
    400A
    30V
    6mm
    5mm
    950μm
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH7932TR2PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 24A PQFN56
    -
    -
    8-PowerVDFN
    表面贴装
    表面贴装
    -
    8
    -
    24A Ta 104A Tc
    HEXFET®
    Cut Tape (CT)
    -55°C~150°C TJ
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    3.1W
    -
    20 ns
    N-Channel
    -
    3.3mOhm @ 25A, 10V
    2.35V @ 100μA
    4270pF @ 15V
    51nC @ 4.5V
    48ns
    30V
    -
    20 ns
    24A
    20V
    -
    -
    -
    -
    5.1054mm
    5mm
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    PQFN (5x6) Single Die
    2008
    3.3MOhm
    150°C
    -55°C
    1.8V
    30V
    4.27nF
    32 ns
    3.3mOhm
    3.3 mΩ
    1.8 V
    939.8μm
    无SVHC
    无
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