Texas Instruments CSD17576Q5BT

工厂交货时间

6 Weeks

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)

包装/外壳

8-PowerTDFN

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

触点镀层

Gold

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Turn Off Delay Time

23 ns

Power Dissipation (Max)

3.1W Ta 125W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

100A Ta

系列

NexFET™

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

附加功能

雪崩 额定

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

CSD17576

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

3.1W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

5 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2m Ω @ 25A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.8V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4430pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

32nC @ 4.5V

上升时间

16ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

3 ns

连续放电电流(ID)

100A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

30A

漏极-源极导通最大电阻

0.0029Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

400A

DS 击穿电压-最小值

30V

宽度

6mm

长度

5mm

器件厚度

950μm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅