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首页 全部分类 CSD18509Q5B vs BSC010N04LSATMA1

CSD18509Q5B备选型号: BSC010N04LSATMA1

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  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
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  • 无铅代码
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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
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  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 基本部件号
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 最大结点温度（Tj）
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 无卤素
  • 阈值电压
  • 最大双电源电压
  • Texas Instruments
    CSD18509Q5B
    Texas Instruments
    MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    8 Weeks
    Gold
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    100A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    DUAL
    无铅
    260
    not_compliant
    未说明
    CSD18509
    1
    Single
    增强型MOSFET
    3.1W
    DRAIN
    9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.2m Ω @ 32A, 10V
    2.2V @ 250μA
    13900pF @ 20V
    195nC @ 10V
    19ns
    ±20V
    11 ns
    38A
    20V
    40V
    400A
    345 mJ
    150°C
    354 pF
    1.05mm
    5mm
    6mm
    950μm
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSC010N04LSATMA1
    Infineon Technologies
    INFINEON BSC010N04LSMOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 40 V, 0.00085 ohm, 10 V, 2 V
    -
    39 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    38A Ta 100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    OptiMOS™
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    DUAL
    FLAT
    未说明
    not_compliant
    未说明
    -
    1
    -
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    10 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1m Ω @ 50A, 10V
    2V @ 250μA
    6800pF @ 20V
    95nC @ 10V
    12ns
    ±20V
    9 ns
    100A
    20V
    40V
    400A
    330 mJ
    150°C
    -
    1.1mm
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    含铅
    2003
    R-PDSO-F3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    无卤素
    1.2V
    40V
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