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首页 全部分类 CSD18534KCS vs STP80N70F6

CSD18534KCS备选型号: STP80N70F6

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  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 配置
  • 辐射硬化
  • Texas Instruments
    CSD18534KCS
    Texas Instruments
    MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    6 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    45A Ta 100A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    NexFET™
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    未说明
    未说明
    CSD18534
    1
    Single
    增强型MOSFET
    107W
    DRAIN
    4.2 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    9.5m Ω @ 40A, 10V
    2.3V @ 250μA
    1880pF @ 30V
    24nC @ 10V
    4.8ns
    ±20V
    2.4 ns
    73A
    1.9V
    20V
    60V
    72 mJ
    175°C
    1.9 V
    6.5 pF
    4.7mm
    10.16mm
    8.7mm
    4.58mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STP80N70F6
    STMicroelectronics
    MOSFET N-Ch 68V 0.0063Ohm 96A STripFET VI
    -
    42 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    -
    -
    96A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    DeepGATE™, STripFET™ VI
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    STP80N
    -
    -
    -
    110W
    -
    23 ns
    N-Channel
    -
    8m Ω @ 48A, 10V
    4V @ 250μA
    5850pF @ 25V
    99nC @ 10V
    29ns
    ±20V
    23 ns
    96A
    -
    20V
    68V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Single
    无
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