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首页 全部分类 CSD18535KCS vs IPP057N06N3GXKSA1

CSD18535KCS备选型号: IPP057N06N3GXKSA1

  • 隐藏公共属性
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  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • 端子位置
  • 资历状况
  • 配置
  • 功率耗散
  • 无卤素
  • JEDEC-95代码
  • 最大双电源电压
  • Texas Instruments
    CSD18535KCS
    Texas Instruments
    This 60 V, 1.6 m, TO-220 NexFET power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications.
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    12 Weeks
    Copper, Tin
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    200A Ta
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    NexFET™
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    雪崩 额定
    未说明
    not_compliant
    未说明
    CSD18535
    3
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2m Ω @ 100A, 10V
    2.4V @ 250μA
    6620pF @ 30V
    81nC @ 10V
    3ns
    60V
    ±20V
    3 ns
    200A
    20V
    0.0029Ohm
    400A
    60V
    616 mJ
    4.7mm
    10.16mm
    8.7mm
    4.58mm
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP057N06N3GXKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube
    -
    13 Weeks
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    逻辑电平兼容
    未说明
    -
    未说明
    -
    3
    -
    增强型MOSFET
    -
    24 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    5.7m Ω @ 80A, 10V
    4V @ 58μA
    6600pF @ 30V
    82nC @ 10V
    68ns
    -
    ±20V
    9 ns
    80A
    20V
    0.0057Ohm
    -
    -
    77 mJ
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2008
    SINGLE
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    115W
    无卤素
    TO-220AB
    60V
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