Texas Instruments CSD18535KCS

工厂交货时间

12 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

触点镀层

Copper, Tin

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

300W Tc

Turn Off Delay Time

19 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.4V @ 250μA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

200A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

NexFET™

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

CSD18535

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

9 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2m Ω @ 100A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

6620pF @ 30V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

81nC @ 10V

上升时间

3ns

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

3 ns

连续放电电流(ID)

200A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.0029Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

400A

DS 击穿电压-最小值

60V

雪崩能量等级（Eas）

616 mJ

高度

4.7mm

长度

10.16mm

宽度

8.7mm

器件厚度

4.58mm

达到SVHC

not_compliant

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅