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CSD18540Q5BT备选型号: NVMFS5C670NLT1G
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- 最大结点温度（Tj）
- 高度
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 已出版
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
MOSFET N-CH 60V 100A 8VSONACTIVE (Last Updated: 5 days ago)6 WeeksGold表面贴装表面贴装8-PowerTDFN824.012046mgSILICON100A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)NexFET™e3yes活跃1 (Unlimited)5EAR99Matte Tin (Sn)雪崩 额定DUAL无铅260not_compliant未说明CSD185401Single增强型MOSFET3.8WDRAIN6 nsN-ChannelSWITCHING2.2m Ω @ 28A, 10V2.3V @ 250μA4230pF @ 30V53nC @ 10V9ns60V±20V3 ns29A1.9V20V0.0033Ohm400A60V320 mJ175°C1.05mm5mm6mm950μm无SVHCROHS3 Compliant含铅----
MOSFET N-CH 60V 71A SO8FLACTIVE, NOT REC (Last Updated: 14 hours ago)38 WeeksTin表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8-SILICON17A Ta 71A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)-e3yesDiscontinued1 (Unlimited)5---DUALFLAT-not_compliant----增强型MOSFET-DRAIN11 nsN-Channel-6.1m Ω @ 35A, 10V2V @ 250μA1400pF @ 25V20nC @ 10V60ns60V±20V4 ns71A2V20V-440A60V166 mJ-----无SVHCROHS3 Compliant无铅2015AEC-Q101R-PDSO-F5SINGLE WITH BUILT-IN DIODE- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NVMFS5C670NLT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 60V 71A SO8FL | 对比 |
 | AUIRF3205ZS | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | 对比 |
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