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首页 全部分类 CSD18542KCS vs FDP030N06

CSD18542KCS备选型号: FDP030N06

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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 已出版
  • 终止次数
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • JEDEC-95代码
  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
  • Texas Instruments
    CSD18542KCS
    Texas Instruments
    This 60 V, 3.3 m, TO-220 NexFET power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications.
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    6 Weeks
    Copper, Tin
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    200A Ta
    -55°C~175°C TJ
    Tray
    NexFET™
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    not_compliant
    CSD18542
    Single
    DRAIN
    6 ns
    N-Channel
    44m Ω @ 100A, 10V
    2.2V @ 250μA
    5070pF @ 30V
    57nC @ 10V
    5ns
    60V
    ±20V
    21 ns
    200A
    20V
    170A
    400A
    60V
    281 mJ
    14 pF
    4.7mm
    10.16mm
    8.7mm
    4.58mm
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDP030N06
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 120A TO220
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    9 Weeks
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    120A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    Single
    -
    39 ns
    N-Channel
    3.2m Ω @ 75A, 10V
    4.5V @ 250μA
    9815pF @ 25V
    151nC @ 10V
    178ns
    -
    ±20V
    33 ns
    193A
    20V
    -
    772A
    -
    -
    -
    15.38mm
    10.1mm
    4.7mm
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2.421g
    SILICON
    2013
    3
    增强型MOSFET
    231W
    SWITCHING
    TO-220AB
    60V
    无
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