Texas Instruments CSD18542KCS
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CSD18542KCS
2502-CSD18542KCS
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
大陆
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This 60 V, 3.3 m, TO-220 NexFET power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications.
1最小包装量--
CSD18542KCS详情
Texas Instruments CSD18542KCS重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
6 Weeks
触点镀层
Copper, Tin
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
200A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
200W Tc
Turn Off Delay Time
18 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
2.2V @ 250μA
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tray
系列
NexFET™
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
基本部件号
CSD18542
元素配置
Single
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
6 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
44m Ω @ 100A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
5070pF @ 30V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
57nC @ 10V
上升时间
5ns
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
21 ns
连续放电电流(ID)
200A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
170A
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
400A
DS 击穿电压-最小值
60V
雪崩能量等级(Eas)
281 mJ
反馈上限-最大值 (Crss)
14 pF
高度
4.7mm
长度
10.16mm
宽度
8.7mm
器件厚度
4.58mm
达到SVHC
not_compliant
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
含铅
CSD18542KCS拓展信息
Texas Instruments
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