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首页 全部分类 CSD18563Q5A vs ZXMS6005DT8TA

CSD18563Q5A备选型号: ZXMS6005DT8TA

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 引脚数量
  • 输出的数量
  • 输出类型
  • 最大输出电流
  • 界面
  • 输出配置
  • 电压 - 供电 (Vcc/Vdd)
  • 输入类型
  • 开关类型
  • 每个通道的输出电流
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 比率-输入：输出
  • 电压-负荷
  • 故障保护
  • 场效应管技术
  • Rds On(Typ)
  • 漏源电阻
  • 特征
  • Texas Instruments
    CSD18563Q5A
    Texas Instruments
    Trans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin VSON-FET EP T/R
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    8 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    100A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    DUAL
    无铅
    260
    not_compliant
    未说明
    CSD18563
    1
    Single
    增强型MOSFET
    3.2W
    DRAIN
    3.2 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    6.8m Ω @ 18A, 10V
    2.4V @ 250μA
    1500pF @ 30V
    20nC @ 10V
    6.3ns
    ±20V
    1.7 ns
    15A
    2V
    20V
    93A
    60V
    96A
    150°C
    2 V
    1.1mm
    4.9mm
    6mm
    1mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    ZXMS6005DT8TA
    Diodes Incorporated
    DIODES INC. ZXMS6005DT8TA Dual MOSFET, Dual N Channel, 1.8 A, 60 V, 0.15 ohm, 5 V, 1 V
    -
    17 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SMD, Gull Wing
    8
    SILICON
    2
    -40°C~125°C TA
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, INTELLIFET®
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    -
    DUAL
    -
    260
    not_compliant
    40
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    -
    6 μs
    -
    SWITCHING
    -
    -
    -
    -
    14μs
    -
    19 μs
    1.8A
    1V
    5V
    0.0014A
    -
    -
    -
    -
    1.7mm
    6.7mm
    3.7mm
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    2010
    150mOhm
    Matte Tin (Sn)
    2.13W
    8
    2
    N-Channel
    10A
    On/Off
    低侧
    3.3V 5V
    Non-Inverting
    通用型
    1.8A
    60V
    1:1
    60V Max
    Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    150m Ω
    150mOhm
    自动重启
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