CSD18563Q5AT备选型号: AUIRF3205ZS
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 高度
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 已出版
- JESD-30代码
- 功率耗散
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- 辐射硬化
- TEXAS INSTRUMENTS CSD18563Q5ATMOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 60 V, 0.0057 ohm, 10 V, 2 VACTIVE (Last Updated: 3 days ago)6 WeeksTin表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8SILICON100A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)NexFET™e3yes活跃1 (Unlimited)5EAR99AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLEDUAL无铅260not_compliant未说明CSD185631Single增强型MOSFETDRAIN3.2 nsN-ChannelSWITCHING6.8m Ω @ 18A, 10V2.4V @ 250μA1500pF @ 30V20nC @ 10V6.3ns60V±20V1.7 ns100A2V20V96A60V1.1mm4.9mm6mm1mm无SVHCNon-RoHS Compliant含铅--------
- MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK-16 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON75A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®e3-Discontinued1 (Unlimited)2EAR99AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE-鸥翼260-30--Single增强型MOSFETDRAIN18 nsN-ChannelSWITCHING6.5m Ω @ 66A, 10V4V @ 250μA3450pF @ 25V110nC @ 10V95ns-±20V67 ns110A2V20V440A-4.83mm10.67mm11.3mm-无SVHCROHS3 Compliant-2010R-PSSO-G2170W75A0.0065Ohm55V250 mJ无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NVMFS5C670NLT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 60V 71A SO8FL | 对比 | |
| NTTFS5C670NLTAG | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerWDFN | MOSFET N-CH 60V 16A WDFN8 | 对比 | |
![]() | AUIRF3205ZS | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | 对比 |




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