CSD19531Q5A备选型号: IRFS3307ZPBF
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 已出版
- 终端
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 功率耗散
- 双电源电压
- 恢复时间
- 栅源电压
- 高度
- 辐射硬化
- 100V, N ch NexFET MOSFET™, single SON5x6, 6.4mOhm 8-VSONP -55 to 150ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)12 WeeksTin表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8SILICON100A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)NexFET™e3yes活跃1 (Unlimited)5EAR99雪崩 额定DUAL无铅260not_compliant未说明CSD195311Single增强型MOSFETDRAIN6 nsN-ChannelSWITCHING6.4m Ω @ 16A, 10V3.3V @ 250μA3870pF @ 50V48nC @ 10V5.8ns±20V5.2 ns100A2.7V20V100V337A4.9mm6mm1mm无SVHCROHS3 Compliant含铅-----------
- MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK---表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3-120A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®--Discontinued1 (Unlimited)-EAR99--------Single--15 nsN-Channel-5.8m Ω @ 75A, 10V4V @ 150μA4750pF @ 50V110nC @ 10V64ns±20V65 ns120A4V20V75V-6.73mm6.22mm-无SVHCROHS3 Compliant无铅2006SMD/SMT5.8MOhm75V120A230W75V50 ns4 V2.39mm无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STL110N10F7 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | Trans MOSFET N-CH 100V 110A 8-Pin Power Flat T/R | 对比 |
![]() | BSC070N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | Trans MOSFET N-CH 100V 90A 8-Pin TDSON EP | 对比 |
![]() | IRFS3307ZPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK | 对比 |






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