STMicroelectronics STL110N10F7

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerVDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

107A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

136W Tc

Turn Off Delay Time

52 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

系列

DeepGATE™, STripFET™ VII

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

电阻

6mOhm

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

STL110

JESD-30代码

R-PDSO-F5

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

5W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

25 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

6m Ω @ 10A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5117pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

72nC @ 10V

上升时间

36ns

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

21 ns

连续放电电流(ID)

107A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

75A

雪崩能量等级（Eas）

490 mJ

高度

950μm

长度

5.4mm

宽度

6.35mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅