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首页 全部分类 CSD19533Q5A vs NDPL070N10BG

CSD19533Q5A备选型号: NDPL070N10BG

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  • 工厂交货时间
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  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 端子表面处理
  • Texas Instruments
    CSD19533Q5A
    Texas Instruments
    MOSFET N-CH 100V 100A 8SON
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    12 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    100A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    雪崩 额定
    DUAL
    无铅
    260
    not_compliant
    未说明
    CSD19533
    1
    Single
    增强型MOSFET
    3.2W
    DRAIN
    6 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    9.4m Ω @ 13A, 10V
    3.4V @ 250μA
    2670pF @ 50V
    35nC @ 10V
    6ns
    100V
    ±20V
    5 ns
    13A
    2.8V
    20V
    150°C
    1.1mm
    4.9mm
    6mm
    1mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
  • ON Semiconductor
    NDPL070N10BG
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR NDPL070N10BG MOSFET Transistor, N Channel, 70 A, 100 V, 0.009 ohm, 15 V, 4 V
    -
    4 Weeks
    -
    Surface Mount, Through Hole
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    70A Ta
    175°C TJ
    Tube
    -
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    未说明
    -
    未说明
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    30 ns
    N-Channel
    -
    10.8m Ω @ 35A, 15V
    4V @ 1mA
    2010pF @ 50V
    26nC @ 10V
    180ns
    100V
    ±20V
    40 ns
    70A
    4V
    20V
    -
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    Tin (Sn)
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