IRFH7107TRPBF
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Infineon Technologies IRFH7107TRPBF

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型号

IRFH7107TRPBF

utmel 编号

1211-IRFH7107TRPBF

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

8-PowerTDFN

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 75V 14A 8PQFN

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IRFH7107TRPBF
IRFH7107TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 75V 14A 8PQFN

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IRFH7107TRPBF详情

Infineon Technologies IRFH7107TRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    15 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-PowerTDFN

  • 引脚数

    8

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    14A Ta 75A Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    3.6W Ta 104W Tc

  • Turn Off Delay Time

    20 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    HEXFET®

  • 已出版

    2013

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    3.6W

  • 接通延迟时间

    9.1 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    8.5m Ω @ 45A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V @ 100μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    3110pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    72nC @ 10V

  • 上升时间

    12ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    75V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 下降时间(典型值)

    6.5 ns

  • 连续放电电流(ID)

    14A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    75A

  • 高度

    1.17mm

  • 长度

    5.85mm

  • 宽度

    5mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

右边的3个型号有着和Infineon Technologies & IRFH7107TRPBF相似的参数规格。

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