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CSD19533Q5AT备选型号: NDBA100N10BT4H
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- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- RoHS状态
- 无铅
- 已出版
- 端子表面处理
MOSFET N-CH 100V 100A VSONPACTIVE (Last Updated: 2 days ago)6 WeeksTin表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8SILICON100A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)NexFET™e3yes活跃1 (Unlimited)5EAR99雪崩 额定DUAL无铅260not_compliant未说明CSD19533Single增强型MOSFETDRAIN6 nsN-ChannelSWITCHING9.4m Ω @ 13A, 10V3.4V @ 250μA2670pF @ 50V35nC @ 10V6ns100V±20V5 ns100A20V13A0.0111Ohm231A100V106 mJ12.5 pF4.9mm6mm1mmROHS3 Compliant含铅--
MOSFET N-CH 100V 100A DPAK-4 Weeks-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3-100A Ta175°C TJTape & Reel (TR)-e3yesObsolete1 (Unlimited)-EAR99----------40 nsN-Channel-6.9m Ω @ 50A, 15V4V @ 1mA2950pF @ 50V35nC @ 10V385ns100V±20V52 ns100A20V---------符合RoHS标准无铅2011Tin (Sn)- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFS3607TRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK | 对比 |
| NDBA100N10BT4H | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 100A DPAK | 对比 |
 | STL70N10F3 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-Ch 100V 0.0065 Ohm 16A STripFET III MOS | 对比 |
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