Texas Instruments CSD19533Q5AT

工厂交货时间

6 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

触点镀层

Tin

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3.2W Ta 96W Tc

Turn Off Delay Time

16 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3.4V @ 250μA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

100A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V 10V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

NexFET™

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

附加功能

雪崩 额定

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

CSD19533

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

6 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

9.4m Ω @ 13A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2670pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

35nC @ 10V

上升时间

6ns

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

5 ns

连续放电电流(ID)

100A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

13A

漏极-源极导通最大电阻

0.0111Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

231A

DS 击穿电压-最小值

100V

雪崩能量等级（Eas）

106 mJ

反馈上限-最大值 (Crss)

12.5 pF

宽度

6mm

长度

4.9mm

器件厚度

1mm

达到SVHC

not_compliant

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅