CSD19534KCS备选型号: IPP12CN10LGXKSA1
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 系列
- 已出版
- 端子表面处理
- 端子位置
- 引脚数量
- 资历状况
- 配置
- 功率耗散
- 无卤素
- JEDEC-95代码
- 最大双电源电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- MOSFET N-CH 100V 100A TO220ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)Tin通孔通孔TO-220-33SILICON100A Ta-55°C~175°C TJTubee3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99雪崩 额定未说明未说明CSD19534Single增强型MOSFETDRAIN6 nsN-ChannelSWITCHING16.5m Ω @ 30A, 10V3.4V @ 250μA1670pF @ 50V22.2nC @ 10V2ns100V±20V1 ns100A2.8V20V0.02Ohm100V54 mJ7.4 pF4.7mm10.16mm8.7mm4.58mm无SVHCNon-RoHS Compliant无铅-------------
- MOSFET N-CH 100V 69A TO220-3--通孔通孔TO-220-33SILICON69A Tc-55°C~175°C TJTubee3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99逻辑级兼容未说明未说明--增强型MOSFET-14 nsN-ChannelSWITCHING12m Ω @ 69A, 10V2.4V @ 83μA5600pF @ 50V58nC @ 10V9ns-±20V5 ns69A-20V---------ROHS3 Compliant无铅13 WeeksOptiMOS™2008Tin (Sn)SINGLE3不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE125W无卤素TO-220AB100V276A
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPP126N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | Trans MOSFET N-CH 100V 58A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube | 对比 |
![]() | IPP12CN10LGXKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 100V 69A TO220-3 | 对比 |
![]() | STP35NF10 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube | 对比 |





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