Texas Instruments CSD19534KCS

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

100A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

118W Tc

Turn Off Delay Time

9 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

附加功能

雪崩 额定

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

CSD19534

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

6 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

16.5m Ω @ 30A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1670pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

22.2nC @ 10V

上升时间

2ns

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

1 ns

连续放电电流(ID)

100A

阈值电压

2.8V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.02Ohm

DS 击穿电压-最小值

100V

雪崩能量等级（Eas）

54 mJ

反馈上限-最大值 (Crss)

7.4 pF

高度

4.7mm

长度

10.16mm

宽度

8.7mm

器件厚度

4.58mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

无铅