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首页 全部分类 CSD19536KTT vs IRFS4010TRLPBF

CSD19536KTT备选型号: IRFS4010TRLPBF

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  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Texas Instruments
    CSD19536KTT
    Texas Instruments
    CSD19536KTT 100 V N-Channel NexFET? Power MOSFET 3-DDPAK/TO-263
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    6 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-4, D2Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
    3
    SILICON
    200A Ta
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    e3
    yes
    活跃
    2 (1 Year)
    2
    EAR99
    雪崩 额定
    鸥翼
    260
    not_compliant
    未说明
    CSD19536
    1
    Single
    增强型MOSFET
    375W
    DRAIN
    13 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.4m Ω @ 100A, 10V
    3.2V @ 250μA
    12000pF @ 50V
    153nC @ 10V
    8ns
    ±20V
    6 ns
    200A
    20V
    0.0028Ohm
    100V
    400A
    806 mJ
    175°C
    4.83mm
    10.18mm
    8.41mm
    4.44mm
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFS4010TRLPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
    -
    12 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    SILICON
    180A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    鸥翼
    260
    -
    30
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    375W
    DRAIN
    21 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4.7m Ω @ 106A, 10V
    4V @ 250μA
    9575pF @ 50V
    215nC @ 10V
    86ns
    ±20V
    77 ns
    180A
    20V
    0.0047Ohm
    100V
    720A
    -
    -
    4.826mm
    10.668mm
    9.65mm
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2011
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    SINGLE
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    4 V
    无SVHC
    无
  • 添加型号
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