Texas Instruments CSD19536KTT

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

6 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-4, D2Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

200A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

375W Tc

Turn Off Delay Time

32 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

NexFET™

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

2 (1 Year)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

附加功能

雪崩 额定

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

CSD19536

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

375W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

13 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.4m Ω @ 100A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

12000pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

153nC @ 10V

上升时间

8ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

6 ns

连续放电电流(ID)

200A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.0028Ohm

漏源击穿电压

100V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

400A

雪崩能量等级（Eas）

806 mJ

最大结点温度（Tj）

175°C

高度

4.83mm

长度

10.18mm

宽度

8.41mm

器件厚度

4.44mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅