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首页 全部分类 CSD19538Q2 vs FDD850N10L

CSD19538Q2备选型号: FDD850N10L

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  • 连续放电电流(ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • 已出版
  • JESD-30代码
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 辐射硬化
  • Texas Instruments
    CSD19538Q2
    Texas Instruments
    MOSFET NCH 100V 14.4A SON
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-WDFN Exposed Pad
    6
    SILICON
    14.4A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    雪崩 额定
    DUAL
    无铅
    CSD19538
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    59m Ω @ 5A, 10V
    3.8V @ 250μA
    454pF @ 50V
    5.6nC @ 10V
    100V
    ±20V
    14.4A
    0.072Ohm
    34.4A
    100V
    8 mJ
    2mm
    2mm
    750μm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDD850N10L
    ON Semiconductor
    MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    27 ns
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    鸥翼
    -
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    75m Ω @ 12A, 10V
    2.5V @ 250μA
    1465pF @ 25V
    28.9nC @ 10V
    -
    ±20V
    15.7A
    0.096Ohm
    -
    -
    -
    6.73mm
    6.22mm
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    260.37mg
    2010
    R-PSSO-G2
    50W
    17 ns
    21ns
    8 ns
    TO-252AA
    20V
    100V
    2.39mm
    无
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