ON Semiconductor FDD850N10L

工厂交货时间

8 Weeks

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

3

质量

260.37mg

晶体管元件材料

SILICON

Turn Off Delay Time

27 ns

Power Dissipation (Max)

50W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

15.7A Tc

已出版

2010

系列

PowerTrench®

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~175°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

50W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

17 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

75m Ω @ 12A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1465pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

28.9nC @ 10V

上升时间

21ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

8 ns

连续放电电流(ID)

15.7A

JEDEC-95代码

TO-252AA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.096Ohm

漏源击穿电压

100V

宽度

6.22mm

长度

6.73mm

高度

2.39mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无