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首页 全部分类 CSD19538Q2 vs IPG16N10S461AATMA1

CSD19538Q2备选型号: IPG16N10S461AATMA1

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  • 宽度
  • 器件厚度
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 配置
  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • Texas Instruments
    CSD19538Q2
    Texas Instruments
    MOSFET NCH 100V 14.4A SON
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-WDFN Exposed Pad
    6
    SILICON
    14.4A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    雪崩 额定
    DUAL
    无铅
    CSD19538
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    59m Ω @ 5A, 10V
    3.8V @ 250μA
    454pF @ 50V
    5.6nC @ 10V
    100V
    ±20V
    14.4A
    0.072Ohm
    34.4A
    100V
    8 mJ
    2mm
    2mm
    750μm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPG16N10S461AATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 8TDSON
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    Surface Mount, Wettable Flank
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    2
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
    -
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    -
    -
    -
    -
    FLAT
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    2 N-Channel (Dual)
    -
    61m Ω @ 16A, 10V
    3.5V @ 9μA
    490pF @ 25V
    7nC @ 10V
    100V
    -
    16A
    0.061Ohm
    64A
    -
    33 mJ
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    含铅
    2012
    29W
    未说明
    not_compliant
    未说明
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    无卤素
    100V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
  • 添加型号
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