CSD19538Q3AT备选型号: IPG16N10S461AATMA1
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 已出版
- 最大功率耗散
- Reach合规守则
- 配置
- 无卤素
- 最大双电源电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- MOSFET N-CH 100V 15A VSONPACTIVE (Last Updated: 3 days ago)6 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerVDFN8SILICON15A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)NexFET™e3yes活跃1 (Unlimited)5Matte Tin (Sn)雪崩 额定DUALFLAT260未说明CSD19538Single增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING59m Ω @ 5A, 10V3.8V @ 250μA454pF @ 50V4.3nC @ 10V100V±20V15A3.2V4.9A0.072Ohm37A100V16.4 pF3.3mm3.3mm800μm无SVHCROHS3 Compliant无铅---------
- MOSFET 2N-CH 8TDSON-12 Weeks表面贴装Surface Mount, Wettable Flank8-PowerVDFN8SILICON2-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-yes活跃1 (Unlimited)8---FLAT未说明未说明--增强型MOSFET-2 N-Channel (Dual)-61m Ω @ 16A, 10V3.5V @ 9μA490pF @ 25V7nC @ 10V100V-16A--0.061Ohm64A------ROHS3 Compliant含铅201229Wnot_compliantSEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE无卤素100V33 mJMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORStandard
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF6665TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | DirectFET™ Isometric SH | MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET | 对比 |
![]() | IPG16N10S461AATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-PowerVDFN | MOSFET 2N-CH 8TDSON | 对比 |
![]() | IPG16N10S461ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-PowerVDFN | Trans MOSFET N-CH 100V 16A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | 对比 |






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