CSD19538Q3AT备选型号: IPG16N10S461AATMA1

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • 最大功率耗散
  • Reach合规守则
  • 配置
  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • Texas Instruments
    MOSFET N-CH 100V 15A VSONP
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    15A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    Matte Tin (Sn)
    雪崩 额定
    DUAL
    FLAT
    260
    未说明
    CSD19538
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    59m Ω @ 5A, 10V
    3.8V @ 250μA
    454pF @ 50V
    4.3nC @ 10V
    100V
    ±20V
    15A
    3.2V
    4.9A
    0.072Ohm
    37A
    100V
    16.4 pF
    3.3mm
    3.3mm
    800μm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 8TDSON
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    Surface Mount, Wettable Flank
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    2
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
    -
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    -
    -
    -
    FLAT
    未说明
    未说明
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    2 N-Channel (Dual)
    -
    61m Ω @ 16A, 10V
    3.5V @ 9μA
    490pF @ 25V
    7nC @ 10V
    100V
    -
    16A
    -
    -
    0.061Ohm
    64A
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    含铅
    2012
    29W
    not_compliant
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    无卤素
    100V
    33 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
  • 添加型号
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