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首页 全部分类 CSD19538Q3AT vs IRF6665TRPBF

CSD19538Q3AT备选型号: IRF6665TRPBF

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  • 终止次数
  • 端子表面处理
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
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  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
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  • 阈值电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 已出版
  • ECCN 代码
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • JESD-30代码
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 辐射硬化
  • Texas Instruments
    CSD19538Q3AT
    Texas Instruments
    MOSFET N-CH 100V 15A VSONP
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    15A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    Matte Tin (Sn)
    雪崩 额定
    DUAL
    FLAT
    260
    未说明
    CSD19538
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    59m Ω @ 5A, 10V
    3.8V @ 250μA
    454pF @ 50V
    4.3nC @ 10V
    100V
    ±20V
    15A
    3.2V
    4.9A
    0.072Ohm
    37A
    100V
    16.4 pF
    3.3mm
    3.3mm
    800μm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF6665TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric SH
    3
    SILICON
    4.2A Ta 19A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    e1
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    -
    HIGH RELIABILITY
    BOTTOM
    -
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    62m Ω @ 5A, 10V
    5V @ 250μA
    530pF @ 25V
    13nC @ 10V
    -
    ±20V
    3.4A
    5V
    -
    0.062Ohm
    -
    -
    -
    4.826mm
    3.95mm
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    2006
    EAR99
    100V
    4.2A
    R-XBCC-N2
    42W
    7.4 ns
    2.8ns
    4.3 ns
    20V
    100V
    5 V
    506μm
    无
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