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首页 全部分类 CSD25202W15 vs FDZ293P

CSD25202W15备选型号: FDZ293P

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  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 功率耗散
  • Vgs（最大值）
  • 漏源击穿电压
  • Texas Instruments
    CSD25202W15
    Texas Instruments
    Trans MOSFET P-CH 20V 4A 9-Pin DS-BGA T/R
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    9-UFBGA, DSBGA
    9
    SILICON
    4A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    9
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    BOTTOM
    BALL
    260
    未说明
    CSD25202
    Single
    增强型MOSFET
    15 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    26m Ω @ 2A, 4.5V
    1.05V @ 250μA
    1010pF @ 10V
    7.5nC @ 4.5V
    12ns
    20V
    28 ns
    4A
    -6V
    4A
    0.052Ohm
    20V
    27 pF
    625μm
    1.75mm
    1.75mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDZ293P
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET P-CH 20V 4.6A 9-Pin BGA T/R
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    9-VFBGA
    9
    -
    4.6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    -
    P-Channel
    -
    46m Ω @ 4.6A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    754pF @ 10V
    11nC @ 4.5V
    10ns
    20V
    10 ns
    4.6A
    12V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    2006
    -20V
    -4.6A
    1.7W
    ±12V
    -20V
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