Texas Instruments CSD25202W15

工厂交货时间

8 Weeks

包装/外壳

9-UFBGA, DSBGA

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

9

晶体管元件材料

SILICON

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

1.05V @ 250μA

Turn Off Delay Time

64 ns

Power Dissipation (Max)

500mW Ta

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V 4.5V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4A Ta

系列

NexFET™

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

9

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

CSD25202

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

15 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

26m Ω @ 2A, 4.5V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1010pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

7.5nC @ 4.5V

上升时间

12ns

漏源电压 (Vdss)

20V

下降时间（典型值）

28 ns

连续放电电流(ID)

4A

栅极至源极电压(Vgs)

-6V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4A

漏极-源极导通最大电阻

0.052Ohm

DS 击穿电压-最小值

20V

反馈上限-最大值 (Crss)

27 pF

宽度

1.75mm

长度

1.75mm

高度

625μm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅