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首页 全部分类 CSD25213W10 vs FDC6306P

CSD25213W10备选型号: FDC6306P

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  • 额定电流
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  • 晶体管应用
  • 阈值电压
  • 双电源电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Texas Instruments
    CSD25213W10
    Texas Instruments
    Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    20 Weeks
    Copper, Silver, Tin
    表面贴装
    表面贴装
    4-UFBGA, DSBGA
    4
    1.6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    BOTTOM
    BALL
    CSD25213
    1
    Single
    -0.85
    1W
    510 ns
    P-Channel
    47m Ω @ 1A, 4.5V
    1.1V @ 250μA
    478pF @ 10V
    2.9nC @ 4.5V
    520ns
    20V
    970 ns
    -1.6A
    -6V
    -20V
    150°C
    625μm
    0m
    0m
    650μm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDC6306P
    ON Semiconductor
    MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    10 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    6
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    鸥翼
    -
    -
    Dual
    增强型MOSFET
    960mW
    6 ns
    2 P-Channel (Dual)
    170m Ω @ 1.9A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    441pF @ 10V
    4.2nC @ 4.5V
    9ns
    20V
    9 ns
    1.9A
    8V
    -20V
    -
    1mm
    3mm
    1.7mm
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    36mg
    SILICON
    1999
    6
    170mOhm
    -20V
    960mW
    -1.9A
    700mW
    SWITCHING
    -900mV
    -20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    -900 mV
    无SVHC
    无
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