Texas Instruments CSD25213W10
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CSD25213W10
2502-CSD25213W10
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
4-UFBGA, DSBGA
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Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R
--最小包装量--
CSD25213W10详情
Texas Instruments CSD25213W10重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
工厂交货时间
20 Weeks
触点镀层
Copper, Silver, Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
4-UFBGA, DSBGA
引脚数
4
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
1.6A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V 4.5V
Power Dissipation (Max)
1W Ta
Turn Off Delay Time
1 μs
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
NexFET™
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
基本部件号
CSD25213
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
-0.85
功率耗散
1W
接通延迟时间
510 ns
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
47m Ω @ 1A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
478pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
2.9nC @ 4.5V
上升时间
520ns
漏源电压 (Vdss)
20V
下降时间(典型值)
970 ns
连续放电电流(ID)
-1.6A
栅极至源极电压(Vgs)
-6V
漏源击穿电压
-20V
最大结点温度(Tj)
150°C
高度
625μm
长度
0m
宽度
0m
器件厚度
650μm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
CSD25213W10拓展信息
Texas Instruments
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