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首页 全部分类 CSD25303W1015 vs FDMA1023PZ

CSD25303W1015备选型号: FDMA1023PZ

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  • 功率 - 最大
  • 阈值电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • Texas Instruments
    CSD25303W1015
    Texas Instruments
    MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
    表面贴装
    表面贴装
    6-UFBGA, DSBGA
    6
    SILICON
    3A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    no
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    BOTTOM
    BALL
    CSD25303
    6
    Single
    增强型MOSFET
    1.5W
    3.9 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    58m Ω @ 1.5A, 4.5V
    1V @ 250μA
    435pF @ 10V
    4.3nC @ 4.5V
    8.6ns
    20V
    ±8V
    7.8 ns
    3A
    8V
    3A
    0.092Ohm
    -20V
    无
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDMA1023PZ
    ON Semiconductor
    MOSFET 2P-CH 20V 3.7A MICROFET
    表面贴装
    表面贴装
    6-VDFN Exposed Pad
    6
    SILICON
    3.7A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    Dual
    增强型MOSFET
    1.5W
    9 ns
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    72m Ω @ 3.7A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    655pF @ 10V
    12nC @ 4.5V
    12ns
    20V
    -
    12 ns
    -3.7A
    8V
    -
    -
    -20V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    16 Weeks
    Gold
    40mg
    2009
    e4
    1.5W
    DRAIN
    700mW
    -700mV
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    -700 mV
    135 pF
    750μm
    2mm
    2mm
    无SVHC
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