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首页 全部分类 CSD25303W1015 vs NTLJD3183CZTBG

CSD25303W1015备选型号: NTLJD3183CZTBG

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  • 场效应管类型
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 已出版
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  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 箱体转运
  • 极性/通道类型
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • Texas Instruments
    CSD25303W1015
    Texas Instruments
    MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
    表面贴装
    表面贴装
    6-UFBGA, DSBGA
    6
    SILICON
    3A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    no
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    BOTTOM
    BALL
    CSD25303
    6
    Single
    增强型MOSFET
    1.5W
    3.9 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    58m Ω @ 1.5A, 4.5V
    1V @ 250μA
    435pF @ 10V
    4.3nC @ 4.5V
    8.6ns
    20V
    ±8V
    7.8 ns
    3A
    8V
    3A
    0.092Ohm
    -20V
    无
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTLJD3183CZTBG
    ON Semiconductor
    MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN
    表面贴装
    表面贴装
    6-WDFN Exposed Pad
    6
    SILICON
    2.6A 2.2A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    -
    无铅
    -
    6
    Dual
    增强型MOSFET
    1.5W
    -
    N and P-Channel
    SWITCHING
    68m Ω @ 2A, 4.5V
    1V @ 250μA
    355pF @ 10V
    7nC @ 4.5V
    9ns
    -
    -
    12.5 ns
    2.2A
    8V
    -
    -
    20V
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
    2008
    e3
    Tin (Sn)
    710mW
    未说明
    未说明
    不合格
    DRAIN
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
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