Texas Instruments CSD25303W1015

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-UFBGA, DSBGA

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.5W Ta

Turn Off Delay Time

11.3 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

NexFET™

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

基本部件号

CSD25303

引脚数量

6

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.5W

接通延迟时间

3.9 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

58m Ω @ 1.5A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

435pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

4.3nC @ 4.5V

上升时间

8.6ns

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±8V

下降时间（典型值）

7.8 ns

连续放电电流(ID)

3A

栅极至源极电压(Vgs)

8V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3A

漏极-源极导通最大电阻

0.092Ohm

漏源击穿电压

-20V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅