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CSD25404Q3T备选型号: IRFR3711ZTRPBF
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- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- Reach合规守则
- 基本部件号
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- RoHS状态
- 无铅
- 底架
- 已出版
- ECCN 代码
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 辐射硬化
MOSFET P-CH 20V 104A 8VSONACTIVE (Last Updated: 3 days ago)6 Weeks表面贴装8-PowerVDFNYES8SILICON104A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)NexFET™e3yes活跃1 (Unlimited)5Matte Tin (Sn)DUAL无铅not_compliantCSD25404Single增强型MOSFETSOURCEP-ChannelSWITCHING6.5m Ω @ 10A, 4.5V1.15V @ 250μA2120pF @ 10V14.1nC @ 4.5V20V±12V104A0.0121Ohm240A20V3.3mm3.3mm1mmROHS3 Compliant含铅------------------
MOSFET N-CH 20V 93A DPAK-12 Weeks表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63-3SILICON93A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®e3-活跃1 (Unlimited)2Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier-鸥翼--Single增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING5.7m Ω @ 15A, 10V2.45V @ 250μA2160pF @ 10V27nC @ 4.5V-±20V93A---6.7056mm6.22mm-ROHS3 CompliantContains Lead, Lead Free表面贴装2004EAR995.7MOhm20V26093A30R-PSSO-G279W12 ns13ns5.2 nsTO-252AA20V20V2.26mm无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF3711STRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK | 对比 |
| IRFR3711ZTRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 20V 93A DPAK | 对比 |
| NTB90N02T4G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK | 对比 |
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