Texas Instruments CSD25404Q3T

工厂交货时间

6 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerVDFN

表面安装

YES

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

1.15V @ 250μA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

104A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V 4.5V

Power Dissipation (Max)

2.8W Ta 96W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

NexFET™

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

基本部件号

CSD25404

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

SOURCE

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

6.5m Ω @ 10A, 4.5V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2120pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

14.1nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±12V

连续放电电流(ID)

104A

漏极-源极导通最大电阻

0.0121Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

240A

DS 击穿电压-最小值

20V

长度

3.3mm

宽度

3.3mm

器件厚度

1mm

达到SVHC

not_compliant

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅