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首页 全部分类 CSD25480F3T vs DMN2230UQ-7

CSD25480F3T备选型号: DMN2230UQ-7

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  • 零件状态
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  • 终止次数
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 已出版
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • Texas Instruments
    CSD25480F3T
    Texas Instruments
    MOSFET P-CH 20V 1.7A PICOSTAR
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    3-SMD, No Lead
    3
    SILICON
    1.7A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    FemtoFET™
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    BOTTOM
    260
    未说明
    CSD25480
    Single
    增强型MOSFET
    P-Channel
    SWITCHING
    132m Ω @ 400mA, 8V
    1.2V @ 250μA
    155pF @ 10V
    0.91nC @ 10V
    20V
    -12V
    1.7A
    -950mV
    0.26Ohm
    20V
    4.7 pF
    690μm
    600μm
    345μm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN2230UQ-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 20V 2A SOT23
    -
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    -
    -
    2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    110mOhm @ 2.5A, 4.5V
    1V @ 250μA
    188pF @ 10V
    2.3nC @ 10V
    20V
    ±12V
    2A
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    SOT-23
    2015
    150°C
    -55°C
    188pF
    81mOhm
    110 mΩ
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