CSD25480F3T备选型号: RUF020N02TL
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 元素配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 已出版
- JESD-609代码
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 引脚数量
- 配置
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 辐射硬化
- MOSFET P-CH 20V 1.7A PICOSTARACTIVE (Last Updated: 6 days ago)6 Weeks表面贴装表面贴装3-SMD, No Lead3SILICON1.7A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)FemtoFET™yes活跃1 (Unlimited)3BOTTOM260未说明CSD25480Single增强型MOSFETP-ChannelSWITCHING132m Ω @ 400mA, 8V1.2V @ 250μA155pF @ 10V0.91nC @ 10V20V-12V1.7A-950mV0.26Ohm20V4.7 pF690μm600μm345μm无SVHCROHS3 Compliant无铅------------
- MOSFET N-CH 20V 2A TUMT3-16 Weeks表面贴装表面贴装3-SMD, Flat Lead3SILICON30 ns150°C TJTape & Reel (TR)-yes活跃1 (Unlimited)3DUAL26010--增强型MOSFETN-ChannelSWITCHING105m Ω @ 2A, 4.5V1V @ 1mA180pF @ 10V2nC @ 4.5V20V±10V2A--20V-----ROHS3 Compliant无铅2013e2EAR99Tin/Copper (Sn/Cu)3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE6 ns17ns30 ns10V2A无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| SSM3J46CTB(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 3-SMD, No Lead | MOSFET P-CH 20V 2A CST3B | 对比 | |
![]() | DMN2230UQ-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 20V 2A SOT23 | 对比 |
| MCH3481-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 3-SMD, Flat Lead | MOSFET N-CH 20V 2A MCPH3 | 对比 |




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