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首页 全部分类 CSD25481F4T vs IRFH8334TRPBF

CSD25481F4T备选型号: IRFH8334TRPBF

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  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
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  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 箱体转运
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 辐射硬化
  • Texas Instruments
    CSD25481F4T
    Texas Instruments
    TEXAS INSTRUMENTS CSD25481F4T MOSFET Transistor, P Channel, -2.5 A, -20 V, 0.075 ohm, -8 V, -950 mV
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    3-XFDFN
    3
    SILICON
    2.5A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    FemtoFET™
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    超低电阻
    BOTTOM
    无铅
    260
    未说明
    CSD25481
    1
    Single
    增强型MOSFET
    500mW
    4.1 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    88m Ω @ 500mA, 8V
    1.2V @ 250μA
    189pF @ 10V
    0.91nC @ 4.5V
    3.6ns
    20V
    -12V
    6.7 ns
    2.5A
    -950mV
    12V
    -20V
    350μm
    1.035mm
    635μm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH8334TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 44A 5X6 PQFN
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    14A Ta 44A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    FLAT
    260
    30
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    3.2W
    8.3 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    9m Ω @ 20A, 10V
    2.35V @ 25μA
    1180pF @ 10V
    15nC @ 10V
    14ns
    -
    ±20V
    4.6 ns
    14A
    -
    20V
    30V
    -
    -
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    2007
    e3
    Matte Tin (Sn)
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    DRAIN
    0.009Ohm
    35 mJ
    1.8 V
    无
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IRFHS8342TR2PBF IRFHS8342TR2PBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 6-PowerVDFN MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN 对比